Power Integrations fortsætter med at drive udviklingen af GaN-teknologi fremad med introduktionen af branchens første 2200 V PowiGaN-galliumnitrid-switch (GaN). Dette gennembrud overgår langt spændingskapaciteten hos alle andre kommercielt tilgængelige GaN-teknologier og muliggør højere effekttæthed, større effektivitet samt mere sikre og enkle systemarkitekturer til AI-datacentre, elbiler, solcelleanlæg og HVDC-infrastruktur. En kaskode-switch-konfiguration (HV D-mode GaN HEMT kombineret med LV-silicium-MOSFET) sikrer overlegen ydeevne og pålidelighed, samtidig med at kompleksiteten reduceres.
Branchens første 2200 V PowiGaN-teknologi muliggør højere effekttæthed, større effektivitet samt mere sikre og enkle systemarkitekturer.
1700 V PowiGaN-IC’er integreres allerede i applikationer til hjælpeforsyning i datacentre med ét-trins-konvertering, mens 1250 V PowiGaN giver mulighed for enklere løsninger i hovedstrømsvejen i 800 VDC-datacentre, end hvad der kan opnås med konventionelle stablede GaN-arkitekturer. Introduktionen af 2200 V PowiGaN-teknologi betyder, at endnu højere busspændinger kan understøttes. Dette vil udvide anvendelsesområdet for GaN til også at omfatte applikationer, der traditionelt har benyttet SiC, samtidig med at det muliggør et højfrekvent alternativ (med mindre fysisk størrelse) til applikationer såsom solenergi, HVDC og avanceret industriel effektkonvertering.
For yderligere information:
Download whitepaper for at lære mere om mulighederne med PowiGaN-teknologi
